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元件参数资料
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参数目录42054
> IRFL014NTRPBF MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
型号:
IRFL014NTRPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFL014NTRPBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet SOT-223
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
160 毫欧 @ 1.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
190pF @ 25V
功率 - 最大
1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装
SOT-223
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1524 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
*IRFL014NTRPBF
IRFL014NPBFCT
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